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Si5857DU
Vishay Siliconix
MOSFET TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
20
5
16
V GS = 5 V
V GS = 4.5 V
V GS = 4 V
V GS = 3.5 V
V GS = 3 V
4
12
8
V GS = 2.5 V
V GS = 2 V
3
2
T C = 125 °C
4
1
T C = 25 °C
0
V GS = 1.5 V
0
T C = - 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
0.20
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
8 00
700
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
0.16
0.12
V GS = 2.5 V
600
500
400
300
C iss
0.0 8
0.04
V GS = 4.5 V
200
100
0
C rss
C oss
0
4
8
12
16
20
0
2
4
6
8
10
12
14
16
1 8
20
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
I D = 5.1 A
8
V DS = 10 V
6
1.6
1.4
1.2
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
V GS = 4.5 V
I D = 3.6 A
4
2
0
V DS = 16 V
1.0
0. 8
0.6
0
2
4
6
8
10
12
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
www.vishay.com
4
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
Document Number: 73696
S09-2111-Rev. D, 12-Oct-09
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